题目 | 专家 | 题目 | 专家 |
软开关四管Buck-Boost变换器技术研究 |
南京航空航天大学
阮新波 |
新能源与储能电源系统多时间尺度状态评估核心技术与应用 |
内蒙古工业大学
王顺利 |
PD电源适配器的平面变压器关键性能影响因素及设计考虑 |
福州大学
陈庆彬 |
单相户用级联H桥多电平光伏逆变器关键技术研究 |
合肥工业大学
张 兴 |
功率器件及变换器应用 AI自动化设计研究 |
合肥工业大学
王佳宁 |
大功率供电及配电管理系统的发展趋势 |
伊顿
郑大为 |
隔离风冷助力大功率中压直挂充电技术的发展 |
阳光电源
张华丽 |
高峰值功率反激电源设计 |
通力科技
刘志成 |
超集成驱动在具身智能末端的运用 |
兆威机电
陈毅东 |
光储充设备的电磁兼容解决方案 |
敏业科技
黄敏超 |
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1. 500-600kHz EMI凸起
2. 不同负载的Vds导通速度 |
华源智信半导体
郭春明 |
开关电源PCB的EMC设计考虑 |
奥海科技
刘棠良 |
共创能源生态——储能变换器的发展和创新 |
古瑞瓦特新能源
吴良材 |
全场景高质量光储充放一体解决方案 |
优优绿能
朱 翔 |
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1. 概述当前PD快充协议的发展趋势。
2. 探讨创新型电荷泵IC技术与设计。 3. 分享最新村田电荷泵IC PE25208 特性与优势。 4. 总结未来快充PD与创新型电荷泵的应用方向。 |
村田(中国)投资有限公司
满彦萍 |
TI 光伏储能方案和产品,助力打造更高效和安全可靠的系统 |
德州仪器
Kian Lin |
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1. ROHM SiC business overview
・About “EcoSiC™” ・Technology Innovation of ROHM’s SiC ・Capacity plan for SiC 2. The “TRCDRIVE pack™ ”SiC module ・The Key Features ・The lineup and the roadmap |
ROHM
王字宇 |
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MPS在第二代All-in-one芯片MPX2002的基础上,开发出了第三代具有更高集成度,更加高效的反激电源芯片MPXG2100。这款芯片开创性地实现了副边控制SR FET实现原边零电压开通, 在推高工作频率的同时维持系统高效率。与此同时,MPXG2100把原边GaN FET、反激控制器,SR Si FET 及SR控制器集成到同一颗芯片中,真正实现用一颗IC设计简单、高效、高可靠性的反激电源
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MPS
陶 武 |
1700V :新的氮化镓耐压基准 |
PI
胡早胜 |
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介绍ADI的最新电源技术及产品,包括低辐射电源,无需光耦隔离技术,氮化镓控制与驱动,高功率微型模块等,为您的高效电源系统设计提供新技术、新思路。
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亚德诺半导体
黎剑源 |
基本半导体碳化硅MOSFET的栅氧可靠性介绍 |
基本半导体
魏 炜 |
安森美新一代IGBT模块和 EliteSiC 碳化硅助力储能逆变器解决方案 |
安森美
WK Chong |
新一代隔离探测系统为宽禁带功率电子设计提供解决方案 |
罗德与施瓦茨
蔡恺波 |
第三代半导体在超级快充及储能的应用 |
瑞能半导体
黄志冰 |
矽力杰动力储能BMS系统解决方案 |
矽力杰
赵 轩 |
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随着光伏与储能系统的快速发展,新能源市场对效率和功率密度的要求越来越高,这要求功率器件的开关频率和性能同步提升。为了满足高开关频率的需求,华太电子在超结IGBT一代的基础上研发出650V和1200V的超级结IGBT第二代(以下简称:SJ-IGBT G2)系列产品。与场截止型IGBT相比,SJ-IGBT G2充分发挥了超级结的优势,显著提升了器件的正向导通能力和开关特性。
采用超级结IGBT可完美实现高耐压、低通态压降的特性。在功率器件关断时,低掺杂的外延层要承受高耐压;在功率器件导通时,器件内部形成一个高掺杂N+区,作为功率器件的电流通路。 相比于传统FS IGBT,SJ-IGBT G2有如下优势: 1,低导通压降:在同样的反向耐压下,SJ-IGBT G2具有更薄的漂移区,可有效降低芯片导通压降。 ,2,低开关损耗:漂移区的超级结结构能够加速空间电场建立速度,有效提升器件开关速度,降低开关损耗。 3,高转换效率:华太SJ-IGBT G2与国际友商最新第七代IGBT相比,综合性能提升40%以上,使得设备体积更小,成本更低。 由于SJ-IGBT第二代具有高开关频率、低导通损耗和成本优势,目前SJ-IGBT系列产品已在光伏、储能,充电桩等领域实现了大规模应用。 |
华太电子
李 烨 |
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TEA2376 是一款用于高效电源的数字可设置两相交错式 PFC 控制器。 PFC 在不连续导通模式或临界导通模式下运行,并通过谷底开关来优化效率,尤其在轻载能实现极高的效率。 TEA2376 能够构建交错式功率因数控制器,该控制器易于设计且外部组件数量较少。
TEA2017AAT 是一款数字可设定 LLC 和 PFC 组合控制器,可实现高效率谐振电源。它包括 LLC 控制器和 PFC 控制器功能。 PFC 可配置为在 DCM/QR,CCM, 固定頻率、或多模式,支援所有操作模式以最佳化 PFC 效率。TEA2017AAT 能夠实现易于建构的完整谐振电源设计并具有非常低的元件数量。 TEA2017AAT 使用的封装为 SO16 封装。 |
恩智浦半导体
张锡亮 |
HD3 高精度示波器为电源的精细化测试赋能 |
是德科技
梁浩逊 |
英飞凌为AI数据中心提供先进的高能效电源解决方案 |
英飞凌科技
程文涛 |
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1、功率器件应用在电力电子中的典型拓扑
2、HV-super junction特性优化 3、LV-SGT特性优化 4、HV-IGBT特性优化 5、HV-VDMOS/SiC特性优化 |
龙腾半导体
杨 乐 |
大功率电源应用场景下GaN功率电子器件技术及挑战 |
三安半导体
刘 成 |
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1. 功率因数校正基础知识
2. COT PFC关键技术 3. OCC PFC关键技术 4. OCC PFC无桥PFC应用 5. 总结及展望 |
芯朋微
王 旷 |
微沟槽产品在新能源系统的应用 |
扬杰科技
汪水明 |
无缝跃迁:氮化镓和碳化硅电源控制器,茂睿芯想工程师所想 |
茂睿芯
李 伟 |
模拟和数字的融合,电源控制方案的新选择 |
慧能泰半导体
欧应阳 |
高密度电源模块在eVTOL中的应用 |
Vicor
朱素华 |
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翌创微针对数字电源等电力电子应用,推出了内置Arm® Cortex®-M7内核的能源主控芯片ET6000系列MCU/DSP。基于该系列产品研发了针对车载充电机(OBC)的软硬件方案,能够实现正向充电6.6kw、反向放电3.3kw的双向功能。客户可基于此平台进行二次开发,目标应用场景包括低速车载充电机、源载一体测试电源、电瓶车换电柜电源等。除了满足单相电源外,翌创微还正在研发三相输入的60kw高功率密度充电桩模块。通过完善的参考设计布局,翌创微系列MCU/DSP产品以及解决方案能加速终端客户的产品开发。
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翌创微电子
丁京柱 |
光储充一体化测试解决方案 |
艾德克斯
陈文兵 |
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基于第三代半导体氮化镓的应用趋势,分享介绍了智融科技的氮化镓控制器及其合封氮化镓系列产品的特性优势和未来产品发展方向,并探讨其产品在相关电源行业的解决方案和应用。
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智融科技
陈海鹏 |
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面向汽车应用场景的电容器是极具挑战的,为了满足严苛环境下的要求,尼吉康推出导电性高分子混合铝电解电容器,它具有耐高温、长寿命高纹波、低ESR和体积小等优势;同时也开发了高纹波电流叠加保证的引线型铝电解电容器,以应对车载设备的高纹波电流要求,也可以减少电容使用个数,实现高功率密度化。
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尼吉康
江振兴 |
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市场现况、Chroma方案简述、全球案例分享、Chroma 系统集成优势。
1,随着中国大功率充电协议逐步完善,近期相关的测试需求有增加的趋势,对交直流充电桩测试架构方案详情介绍。 2,国内EV/EVSE市场竞争越发激烈,客户急需开发欧美/东南亚等新兴市场,对国外标准如欧美标准(CCS)。 |
Chroma
林庭仰 |
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随着USB-C和PD方案在市场上越来越普遍,国内的PD充电市场已经趋于红海,低端方案的竞争日益恶化。然而,有些中高端品牌客户的产品需求却苦苦找不到合适的方案,尤其针对100W以上PD3.1和UFCS的差异化充电方案。
赛迪半导体整合行业优秀资源,包括原赛普拉斯,收集市场的需求和痛点,设计了针对多口充电器等市场,高集成度,高度灵活的方案PDG1和PDG3,集成多种协议,buck或buckboost, TL431等,可以为客户做差异化方案,帮助客户产品实现更多价值。 |
赛迪半导体
袁 强 |
GaN和SiC驱动AI数据中心电源创新 |
纳微半导体
况草根 |
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