美国佛罗里达大学电子与计算机工程系终身正教授。IEEE Fellow (IEEE 会士)，美国国家科学基金职业奖获得者，于 2005 年获得美国弗吉尼亚理工大学博士学位。现为美国佛罗里达大学电子与计算机工程系终身正教授。已发表两百多篇 IEEE 期刊和会议论文， 拥有近 30 项已颁和待批美国专利。多次获得 IEEE 最佳论文奖。现担任 IEEE 电磁兼容和工业应用期刊副主编，IEEE 电力电子电磁干扰和兼容特别委员会主席，IEEE 无线电能传输和宽带器件电磁干扰抑制技术联络人。IEEE Clayton Paul Global University 讲师， 并曾担任 IEEE 国际电动汽车会议技术项目副主席。

碳化硅器件据有高速，低导通损耗及高压和高温运行的优势，因此被广泛应用于电动汽车，新能源及电网储能等应用。但是高开关速度和高开关频率带来了电磁干扰，尤其是辐射干扰的挑战。本次演讲将分析在碳化硅电机驱动器系统中从 150kHz 到 30MHz 的频段，电磁辐射的产生原理，预测方法， 以及电缆长度，高度及电机等对辐射的影响。

来宾将会对碳化硅及其它高速宽带器件在电机驱动及逆变器中产生低频电磁辐射的机理，重要的相关参数，辐射的预测和辐射的减轻有原理性的了解。对相关设计将有较大的帮助。