2018年5月26日,21Dianyuan特邀陈为教授和裴云庆教授在北京举办“高性能新器件电源设计培训会-GaN和磁性元件设计应用”。 这次会议将邀请两位知名专家来到现场与工程师分享时下热门的新器件、新技术,互相探讨交流行业发展趋势。希望给北京当地的工程师带来更多的技术福利与收获。

陈为讲师大纲
  • 功率变换器的发展及对磁元件的要求
  • 磁元件高频化带来的理论和实际问题
  • 磁芯的高频损耗及特性
  • 绕组的高频损耗分析及特性
  • 磁性元件的优化设计
  • 高频阵列化磁性元件
裴云庆讲师大纲
  • 氮化镓器件的特性

    新型宽禁带半导体器件的性能优势

    GaN 器件的基本结构

    GaN 器件的特性

    GaN 器件应用中的难点问题

  • 氮化镓器件的驱动

    eGaN 的驱动电压及驱动电阻设计

    常用的驱动 IC

    eGaN 驱动回路寄生电感的抑制

  • 功率回路的优化

    eGaN 逆导通自激振荡问题

    漏源回路寄生电感问题

  • 基于氮化镓器件的集成化

    GaN 集成模块的低电感布线

    集成模块基板材料的选择

    GaN 集成实例

陈为 教授

福州大学电气工程与自动化学院教授、博导

中国电源学会常务理事、磁技术专委会主任委员

主要研究方向为电力电子功率变换,功率电磁元件,电磁兼容分析与诊断,无线电能传输,电器、电磁和电气元件及系统仿真以及工程电磁场分析与应用等。

裴云庆 教授

西安交通大学电气工程学院教授,博士生导师

中国电源学会磁技术专委会、中国电源学会变频电源与电力传动专业委员会委员

曾分别于1997年及2006年赴日本大阪大学电气工学科、美国弗吉尼亚理工学院电力电子系统中心(CPES)访问研究。

主要研究方向为大功率电力电子变换器及控制技术。

培训酒店 :北京天健宾馆 (一楼宴会厅)

培训地址:北京西城区西四南大街62号

交通方式:地铁4号线西四站D出口约400米即到

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